Safir substrat ısı iletkenlik LED ışık verimliliği etkileyen, kötüdür. LED soğutma sorunu çözmek için geleceği LED, dikey yapısı ana yapısını olabilir teknolojisinin gelişimini teşvik için LED sanayi. LED teknolojisi dikey yapısı üzerinde biz duymuş aşağıdaki başvuru için giriş teknik yüzeyinden sadece inanıyorum.
LED çipler iki temel yapı, lateral biliyoruz ki yapısı (Lateral) ve dikey yapısı (dikey). LED çipi yanal yapısının iki elektrot LED çipi ve enine yönde n ve p tipi doğumdan katmanlar geçerli akışlarında aynı tarafta vardır. Hemen hemen tüm mevcut akıtacak şekilde dikey olarak LED çipi dikey yapısının iki elektrot LED Epitaksiyel katmanını her iki tarafında ikinci elektrot olarak kullanılan LED Epitaksiyel katmanını desenli elektrot ve tüm p-tipi co nedeniyle aracılığıyla nfinement tabaka, akım, mevcut dağıtım sorun uçak yapısını geliştirmek, ışık verimliliği artırmak ama aynı zamanda P kutup gölgeleme sorunu çözmek, LED ışık alan yayan geliştirmek.
Öncelikle LED üretim teknolojisi ve temel yöntemler dikey yapısını anlamak:
Dikey yapısı LED çipi teknoloji üretim üç ana yöntem vardır:
Birincisi, silikon karbid substrat büyüme GaN film, avantajı kullanımı aynı çalışma mevcut koşulları, ışık zayıflama, uzun ömürlü, silikon substrat eksikliği ışık emecektir.
İkincisi, bağ ve teknoloji üretim sıyırma çip kullanımı. Avantajdır ışık zayıflama, uzun ömürlü, ışık verimliliği artırmak için LED yüzey ile başa çıkmak için ihtiyaç.
Üç silikon substrat büyüme galyum nitrit LED Epitaksiyel katmanını gibi türdeş olmayan yüzeylerde kullanımı, iyi ısı dağılımı, kolay işleme avantajdır.
Dikey yapısı LED çipi imal etmek iki temel yolu vardır: Yetişkin substrat peeling ve yetişkin substrat sıyırma değil. Galyum arsenide büyüme substrat yetiştirilen GaP tabanlı LED çipi dikey yapısını iki yapı vardır:
Sigara sıyırma iletken galyum arsenide büyüme substrat: bir iletken DBR yansıtıcı katmanı bir boşluk tabanlı LED Epitaksiyel katman bir iletken DBR yansıtıcı katmanı üzerinde büyüyen bir iletken galyum arsenide büyüme substrat üzerine yatırma.
Galyum arsenide büyüme substrat sıyırma: GaP tabanlı LED Epitaksiyel katmandaki iletken destek substrat, galyum arsenide substrat sıyırma bağ lamine yansıtıcı katmanı. İletken destek substrat galyum arsenide substrat, galyum fosfit substrat silikon substrat bir metal alaşımı ve benzeri içerir.
Ayrıca, silikon üzerinde yetiştirilen dikey GaN tabanlı LED iki yapı vardır:
Silikon büyüme substrat soyma değil: metal yansıtıcı katmanı veya iletken DBR yansıtıcı katmanı iletken silikon büyüme substrat lamine ve galyum Nitrür tabanlı LED Epitaksiyel katmanını metal yansıtıcı katmanın üzerinde yetiştirilen veya iletken DBR yansıtıcı katmanı.
Silikon büyüme substrat soyma:Galyum Nitrür tabanlı metal yansıtıcı katmanda lamine Epitaksiyel katman LED, iletken yansıtıcı yüzey silikon büyüme substrat soymak için metal yansıtıcı katmana bağlı.
Ve dikey galyum Nitrür tabanlı LED işlem imalatı sonra basit bir açıklama: Lamine yansıtıcı katmanı galyum Nitrür tabanlı LED Epitaksiyel katmanına, yansıtıcı katmanın gümrüklü iletken destek substrat, safir büyüme sıyırma alt katman. İletken destek substrat bir metal ve alaşım substrat, silikon substrat ve benzeri içerir.
GaP tabanlı LED, LED GaN tabanlı veya LED LED, LED geleneksel yapısına göre dikey yapısı bu tür ile dikey ZnO tabanlı olup daha büyük bir avantaj, belirli performans vardır:
1. To akım, tüm varolan dikey yapısını LED renk: kırmızı LED, yeşil LED, mavi LED ve UV LED, LED vardır Pazar uygulama büyük bir delik dikey yapının içinden yapılabilir.
2. All üretim süreci bir çip (gofret) düzeyinde bulunur.
3. BŞaka oraya dikey LED çipi paket kalınlığını azaltma dikey yapısında kullanımına bağlı harici güç kaynağı ile altın line oyun gerek yoktur. Bu nedenle, arka aydınlatma gibi Ultra-ince cihazlar üretmek için kullanılabilir.
Sıcak ürünler:LED profil lamba,2700-6500K SKK rengini değiştirmek lamba,100W güç yüksek Körfezi,Doğrusal kolye ışık,130lm/W doğrusal ışık,LED ofis ışık fikstür,Dekore edilmiş LED aydınlatma bar
