Galyum nitrit teknolojisine dayanan ve üretim tesisleri mevcut, zorlanma mühendislik mikro-ekran için uygun bir yöntem sağlar.
Üzerinde yük dayalı indiyum galyum nitrit (InGaN) birden çok kuantum wells Mühendisliği, Michigan Üniversitesi monolitik entegre amber-yeşil-mavi LED (Şekil 1) geliştirmiştir. Zorlanma mühendislik nano-sütun farklı çaplarda aşındırma tarafından sağlanır.
Şekil 1. Yukarıdan aşağıya üretim şematik nano-sütun liderliğindeki diziden çeşitli çaplarda
Sağlayan bir mikro-görüntüyü bu pikselini için uygun bir yöntem liderliğindeki bir kırmızı-yeşil-mavi üretmek için araştırmacılar umut gelecekte bir 635nm aydınlık kuantum ile iyi, yol açtı. Diğer potansiyel uygulamalar aydınlatma, biyosensörler ve optik genetik içerir.
Ulusal Bilim Vakfı (NSF) desteğinin yanı sıra Samsung üretim ve ekipman tasarımı destekler. Araştırmacılar bir çip düzeyi çok renkli LED platform mevcut üretim altyapısı üzerinde tabanlı geliştirmeyi umuyoruz.
Epitaksiyel malzemeler 2 inçlik safir üzerinde no desenli metal organik kimyasal Buhar biriktirme (MOCVD) aracılığıyla yetiştirilmektedir. 5 5nm InGaN yakalar bir 12nm gan kapı tarafından ayrılmış 2 aydınlık etkin bölge oluşur. Elektronik bariyer katmanı ve P-iletişim katmanı 20nm galyum nitrit (P-al0.2ga0.8N) ve 150nm P-gan sırasıyla oluşmaktadır.
Nano-sütun elektron ışını litografi kullanarak oluşturulmuş ve nikel maskesi karışık ıslak ve kuru oyma işlemi için kullanılır. Gravür çoğunu kuru İndüktif eşleşmiş plazma ve ıslak gravür faz final çapı elde etmek ve hasar kuru gravür adımından kaldırmak için kullanılır. 300nm hakkında gravür derinliğidir. Tüm üretim sürecinde gravür maskesi P-gan yüzeyini korumak için korunmaktadır.
Başlamak 50nm silikon Nitrür, plazma gelişmiş kimyasal Buhar biriktirme (PECVD) gerçekleştirildi, yapısı N ve P-gan parçaları ayırmak için bir döngüsel kaplı cam kullanarak kuruldu.
Kuru tip korozyon düz yapısının sütun ucu ortaya çıkarmak için. Nikel maske malzemeleri nitrik asit solüsyonu ile temizleyin. P-iletişim nikel/altın metallization termal olarak havada komplementer olan.
Cihazın elektrik performansı hakkında 3 x 10-7a piksel başına düşük bir kaçağı 5V ters önyargı gösterir. Düşük kaçak iki atfedilir faktörler-düzleştirilmiş kuantum de düşük geçerli crowding etkisi ve nano-sütun ortasına zorlanma tarafından başlatılan taşıyıcı kısıtlama sağlar. Daha dar bir sütun daha büyük akım yoğunluğu nedeniyle sınırlı bir etkisi riski böylece kuantum sınırı "stark etkisi" nitrit kimyasal bağları şarj kutuplaşma nedeniyle elektrik alanı azaltarak gerginliği, azaltarak geliştirilebilir.
Farklı çap ve farklı renkler (Şekil 2) içeren sütunlar pikseller oluşur. Çapı arttıkça, dalga boyu daha uzun olur ve daha fazla türevidir. Araştırmacılar değişim kuantum iyi kalınlığı değişikliklere gofret atfedilen.
QQ screenshot 20170916103202. png
Res. 2. (a) oda sıcaklığında electroluminescent spectra mavi (487nm), yeşil (512nm), Orange (575nm) ve Amber (600nm) hafif başlamak 50nm, 100nm ve 800nm çapı nano sütunları ve ince film elde piksel yol açtı.
(b) tek boyutlu stres rahatlama teorisi tarafından alınan ışığın dalga boyu.
(c) çeşitli altında ana tepe konumunu gerilimleri önyargılı.
Gerilim ve geçerli enjeksiyon artış ile daha gevşek dar nanotüpler da daha az dalga boyu mavi shift gösterir. 800nm çapı nano sütun piksel mavi 2.8V ve 4V arasında 40nm değişikliğidir. Bu tuzak zorlanma bağlı gerilim alanında aracılığıyla eleme araştırma ekibi kaynaklanmaktadır.
Takım önyargı voltaj sabit ve yoğunluk darbe Frekans Modülasyonu, böylece çıkış dalga boyu pikselin sabitleme ile değişti. Bu deneme, kararlı dalga boyu ve göreceli elektriksel yoğunluğu tüm piksel türleri sağlar ve nabız sinyal görev oranı hemen hemen doğrusal olarak değiştirilir gösterilir. Darbe genişliği 400μs var. Darbe frekansını 200 Hz ile 2000 Hz arasında değişir.
